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清溢光電佛山生産基地項目將適時考慮引入電子束光刻機
10月19日消息,清溢光電在接受機構調研時表示,半導體芯片掩膜版技術方面,公司已實現180nm工藝節點半導體芯片掩膜版的客戶測試認證及量産,同步開展130nm-65nm半導體芯片掩膜版的工藝研發和28nm半導體芯片所需的掩膜版工藝開發規劃。半導體掩膜版業務方面,公司目前已擁有業內先進的激光光刻機,CD精度可達到130nm掩膜版的要求。佛山生産基地項目擬引入的光刻設備將不限于激光光刻機,也將適時考慮引入電子束光刻機。公告顯示,清溢光電佛山生産基地項目總投資人民幣35億元,包括“高精度掩膜版生産基地建設項目”和“高端半導體掩膜版生産基地建設項目”,項目情情況如下: 項目一:高精度掩膜版生産基地建設項目 投资金额:本项目将分三期进行建设,合计拟投资人民币20亿元,其中一期拟投资8亿元;二期拟投资3亿元,三期拟投资9亿元。 项目建设情况:一期、二期项目拟购置土地50亩(具体面积以最终挂牌面积为 准),自签订《土地出让合同》之月起,在12个月内开工建设、36个月内投产。三期 项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。 项目二:高端半导体掩膜版生产基地建设项目投资金额:本项目将分三期建设,合计拟投资人民币15亿元,其中一期拟投资6.05亿元,二期拟投资2.95亿元,三期拟投资6亿元。 项目建设情况:一期、二期项目拟购置土地30亩(具体面积以最终挂牌面积为 准),自签订《土地出让合同》之月起,在12个月内开工建设、36个月内投产。三期 项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。2023年上半年,清溢光电营业收入较上年同期增长7,554.60万元,同比增长22.10%, 主要系厂商加大新品开发的力度,带动了掩膜版的需求增长,公司接受的订单数量有提升。 點擊圖片閱讀相關資料:
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